2019年6月16日 星期日
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性能提升10%?比亞迪電動車明年將可望搭載SiC第三代半導體材料!
AUTONET記者:盧佛青(12/12/2018)
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在日前於浙江省寧波市舉行的新技術發表會上,比亞迪首度發表了影響電動車性能關鍵因素的「絕緣柵雙極型晶體管」(IGBT-Insulated Gate Bipolar Transistor),且應用IGBT 4.0技術,這項與動力電池電芯並稱為電動車關鍵「雙芯」的技術,不但可直接驅動系統交直流電轉換,且因為佔電動車整車成本達5%,更將決定未來電動車的最大輸出功率與扭力表現。

不過最令人驚訝的是,比亞迪在這場發表會上,同時宣佈已經成功研發SiC MOSFET(汽車功率半導體),最快將於明年推出搭載SiC電控技術的電動車,這第三代半導體材料,將全面替代矽基IGBT,預計將讓電動車整車性能表現提升10%。

此外,比亞迪已經鉅額投資這第三代半導體,除致力於降低製造成本,也將將整合材料(高純碳化矽粉)、單晶、外延、芯片、封裝等SiC基半導體全產業供應鏈,比亞迪表示,SiC MOSFET將成為比亞迪電動車性能持續迭代更新的新一代殺手級應用,更將為新一代電動車在加速、續航等性能指標領先對手。

根據統計資料顯示,2015-2017年間比亞迪已經連續三年蟬聯全球新能源汽車銷量冠軍,而今年年初更喊出年銷20萬輛的目標,累積1-10月份光新能源乘用車就已經賣出16.3萬輛,此外在全球純電大巴也依舊穩居銷售與市佔率冠軍,且持續推動包括輕型商業車與各特種商業車的純電動化進程。


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